La production de DDR5 s’accélère. Samsung annonce que sa production de masse a débuté. La technologie utilisée est le 14 nm EUV « maison ». Les marchés visés sont les serveurs HPC et l’IA avec l’objectif de doubler les performances face à la DDR4.
Cette fois nous y sommes, le marché de la mémoire vive va débuter sa transition vers le DDR5. La production de masse de la DDR5 a débuté chez Samsung. La firme annonce du 14 nm, du 7200 Mbps et des capacités toujours plus importantes.
DDR5, Samsung annonce du 7200 Mbps
Le firme précise que cette gravure 14 nm va permettre d’atteindre rapidement de haute fréquence avec du 7.2 Gbps soit plus du double que l’actuelle DDR4 3,2 Gbps. Dans un premier temps ces nouveautés viseront les centres de données, les superordinateurs et les machines exécutant des applications « serveur ». Les fréquences et débits ne sont pas les seuls arguments puisque les capacités augmentent également.
A noter que la technologie EUV a pris de l’importance aux regards des améliorations qu’elle apporte. Son usage permet d’accroitre la précision de la gravure de quoi booster les performances tout en améliorant les rendements.
“A noter que la technologie EUV a pris de l’importance aux regards des
améliorations qu’elle apporte. Son usage permet d’accroitre la
précision de la gravure de quoi booster les performances tout en
améliorant les rendements.”
A noter que la gravure EUV augmente les coûts de production du fait de
la dégradation du miroir collecteur de source EUV si bien qu’il doit
être remplacé.
Certes la gravure EUV est plus précise ce qui permet de limiter le
recours au “binning” manuel cependant cette précision n’est pas
gratuite. 😉