DRAM 32 Gb DDR5 de classe 12nm
La DDR5 poursuit son évolution. Samsung annonce la première DDR5 32 gigabits (Gb). C’est à l’heure d’écriture de cet article la plus grande capacité proposée par l’industrie.
Elle est obtenue au travers d’un process de fabrication de classe 12 nanomètres (nm). Cette avancée arrive après que Samsung ait commencé en mai 2023 la production en masse de sa DDR5 16 Gb également issue d’un process de fabrication de classe 12nm.
Le constructeur rappelle que depuis 1983 date d’annonce de sa DRAM 64 kilobits (Kb) la capacité RAM a été multipliée par 500 000. Avec cette nouvelle avancée Samsung double la capacité DDR5 dans le même format de boîtier. Elle permet la production de module DDR5 de 128 Go sans utiliser de processus TSV (Through Silicon Via) tout en réduisant la consommation d’énergie d’environ 10 % par rapport aux modules de 128 Go avec DRAM 16 Go.
La production de masse de ces nouveaux modules DDR5 32 Go de classe 12 nm devrait commencer d’ici la fin de l’année.
En parallèle à la mise à jour KB5046740 pour Windows 11 24H2, Microsoft propose la… Lire d'avantage
Asus dévoile le boîtier SSD externe TUF Gaming A2. Visant les joueurs il propose une… Lire d'avantage
Microsoft a publié la mise à jour facultative KB5046740 pour Windows 11 (version 24H2). Elle… Lire d'avantage
Microsoft a récemment publié son application Bing Wallpaper sur le Microsoft Store afin de faciliter… Lire d'avantage
Ubisoft publie une mise à jour majeure pour Assassin’s Creed: Syndicate. Elle permet du 60… Lire d'avantage
Apple publie une mise à jour de sécurité pour macOS visant à corriger deux vulnérabilités… Lire d'avantage
Voir commentaires
"Elle permet la production de module DDR5 de 128 Go sans utiliser de
processus TSV (Through Silicon Via) tout en réduisant la consommation
d'énergie d'environ 10 % par rapport aux modules de 128 Go avec DRAM
16 Go."
En d'autres termes ce sont des puces DRAM 3D bas de gamme dont les
plaquettes sont assemblées par un procédé PoP (Package on Package) à
longueur d'interconnexion plus élevée limitant de fait les performances
en particulier les temps d'accès.
De plus, le procédé PoP présente un risque de défaillance plus élevé
du fait du décollement de la brasure interplaquette sous contrainte
thermique tandis que ce risque est moindre pour le procédé TSV à trou
métallisé.