A l’occasion de la conférence Hot chips 33, Samsung a présenté ses avancées autour de la mémoire DDR5. La conception de ces modules va profiter de nouveaux processus afin d’accroitre les fréquences et les capacités.
La DDR5 est la prochaine étape en matière de mémoire vive sur PC. Sur le papier elle promet un nouveau bond en avant avec des hausses conséquentes des performances face à l’actuelle DDR4. A son sujet Samsung est à l’origine de nouveaux processus de fabrication afin d’assurer des fréquences plus importantes et de meilleures capacités.
DDR5, Samsung évoque sa DDR5 TSV 8H
Le géant travaille sur des barrettes équipées de modules DDR5 TSV profitant d’un empilement 8H sur une hauteur de 1 mm. La DDR4 TSV actuelle exploite un empilant 4H sur une hauteur de 1.2 mm.
Pour parvenir à ce résultat la firme est arrivé à réduite de 40% l’épaisseur entre chaque couche. Il est avancé que ces modules TSV 8H offriraient de meilleure capacité de refroidissement. De plus ils devraient permettre dans un avenir proche des capacités de 512 Go par module. Ce chiffre est important car il promet une énorme augmentation face à DDR4.
Samsung s’attend à ce que la DDR5 rehausse de 85% les performances face à la DDR4 avec des débits atteignant les 7.2 Gb/s. Dans le même temps, ces nouveaux modules disposeront d’une tension de 1,1 V en raison d’une régulation de la tension embarquée. Les modules RDIMM / LRDIMM annoncés visent le marché des centres de données.
Selon Samsung, le marché grand public adoptera en masse la DDR5 pas avant 2023/2024.
L’économie d’énergie de seulement 16 % (cf. relation quadratique
consommation/tension) ne permet pas de compenser la multiplication
de la fréquence par 2,25.
Ainsi la consommation de la DDR5-7200 est environ 1,89 fois celle
de la DDR4-3200 donc il faudra un dissipateur thermique performant
pour évacuer la chaleur et assurer la stabilité des modules.
Par ailleurs, l’empilement de dies risque de compliquer le
refroidissement des puces mémoires donc il est peu probable que les
modules de haute capacité puisse être également de haute performance.
Bref, Samsung tente de rassurer les investisseurs tandis que les
fonderies ne progressent plus…
Attention aux chiffres. 7,2gbps pour 512 Go c’est extrêmement peu (donc forcément faux ou alors on est de retour à la DDR1).
On imagine aisément qu’il s’agit de la performance par puce (là où les 512Go représentent la capacité totale de la barrette)… sinon vla le RAMdisk tout pourris pour un usage avec du 10 gigabits Ethernet…).
Il y avait le même genre d’erreurs du temps des articles sur la sortie de la DDR4.
A l’évidence c’est une coquille car cela devrait être plutôt 7200 MT/s
soit 28,8 Go/s par sous-canal DDR5 ou 57,6 Go/s par canal DDR5.
Samsung ferait peut être référence à un débit “par contact” or ce type
de communication me semble complètement inaproprié car tous les
contacts ne sont pas des contacts de données.