DDR5, Samsung dévoile une barrette mémoire de 512 Go

Samsung annonce la première barrette mémoire DDR5 proposant une capacité de 512 Go. Ce modèle vise le marché professionnel en particulier les domaines de l’IA,  de l’informatique hyperscale ou encore de l’analyse et du réseautage.

Samsung annonce que ces modules DDR5 de 512 Go vont compléter son portefeuille existant. Le but est d’avoir une main de l’inédit au travers d’une capacité jamais proposée jusqu’à présent. La conception s’appuie sur le HKMG contraction de High-K Metal Gate. Ce n’est pas une nouveauté puisque Samsung l’utilise déjà dans la production de ses modules mémoire VRAM GDDR6. Cette technologie permet de réduire de 13% les besoins énergétiques.

Modules DDR5 512 Go, quelques détails

En termes de spécifications, cette barrette DDR5 de 512 Go offre le double des performances du solution DDR4. Le débit peut atteindre les 7200 Mo/s. La barrette embarque 40 puces composées de huit modules DRAM de 16 Go empilés grâce à la technologie TSV. Elle a été utilisée pour la première fois en 2014 lorsque Samsung a introduit des barrettes mémoire pour serveur d’une capacité de 256 Go.

Samsung parle d’échantillon pour le moment sans fournir de calendrier précis concernant une date de disponibilité. Un lancement d’ici la fin de cette année est possible dès que les plateformes Intel et AMD de prochaines génération seront disponibles.