GDDR3 : Hynix annonce la génération basse consommation à 20 nm

La maitrise d’une gravure plus fine permet de proposer des avancés importantes sur la question des besoins énergétiques. SK Hynix annonce la mise en production de masse d’ici la fin de l’année de puces mémoire GDDR3 DRAM LV basse consommation.

Cette nouvelle génération de puces mémoire tire profit d’une gravure à 20 nm contre 30 nm actuellement. D’une capacité de 4 Gb, elle s’accompagne d’une fréquence de fonctionnement de 1,8 GHz sous une tension de 1,35 Volt ce qui lui permet de proposer une baisse de sa demande énergétique de 30%. Le premier marché visé est celui des ordinateurs portables de faible puissance.

En parallèle la production GDDR3 30 nm à 2 GHz sous une tension de 1,5 volt  reste toujours d’actualité.