En attendant le déploiement et la démocratisation de la DDR4, que l’on nous présente comme « révolutionnaire » pour le marché mobile, la plupart des terminaux sont encore demandeurs de mémoire DDR ou DDR2 qui ne brillent pas par leur performance énergétique. Cependant Sansumg annonce avoir réussi une transition au 2x nm afin de proposer de la LPDDR2, LP pour Low Power.
Il est toujours économiquement intéressant pour un constructeur de passer à une nouvelle finesse de gravure car elle est à l’origine d’une baisse des coûts de production (plus de puces par Wafer) ce qui engendre également la naissance de produits plus abordables. Avec sa nouvelle génération de LPDDR2, le constructeur assure une fréquence de 1066 MHz tout en réduisant la demande énergétique face à sa grande sœur gravée à 30 nm. Des amélioration de conception permettent également de doubler la capacité. La production de masse est en cours.
De son côté iSupply prévoit une demande toujours plus forte de ce type de mémoire qui cette année devrait représenter 12% du marché contre 49% l’année prochaine et 63% en 2014.
Avec cette avancée, Samsung s’assure de rester dans la compétition sur plusieurs années.
Il ne manque pas également de se différencier de la concurrence en proposant dès maintenant son utilisation au cœur de son dernier smartphone haut de gamme le Galaxy S3. En effet, le Galaxy S3, dans sa version japonaise semble disposer de 2 Go de mémoire vive LPDDR2 20nm contre 1 Go en 30 nm dans nos contrées. L’explication tiendrait dans le fait que pour le moment la capacité de production du constructeur n’arrive pas encore à satisfaire la demande. Des choix sont donc fait en fonction du potentiel des marchés.
