Samsung passe ses modules mémoire NAND à 20 nm

La concurrence force chaque constructeur à innover et Samsung dévoile à la vue d’Intel et Micron de nouveaux modules NAND MLC gravés à 20 nm. La commercialisation des premières cartes SDHC classe 10 est attendue pour l’été.

Avec le passage à une finesse de gravure à 20 nm, Samsung va réduire ses coûts de production. En effet, il devient possible d’augmenter de 50% le nombre de puces produites issues d’une même galette de silicium face à une gravure à 30 nm.  En même temps, la firme souligne que la NAND 20 mm représente l’opportunité d’intégrer de nouvelles technologies afin d’augmenter les performances.

Dans un premier temps, les premiers modèles fabriqués proposeront des débits de 10 Mo/s en écriture et 20 Mo/s en lecture pour des capacités allant de 4 à 64 Go.

Des modules NAND MLC de 20 nm ont déjà été livrés à des partenaires. La production de masse devrait démarrer dans le courant de cette année.