Le géant Intel promet que les choses vont s’accélérer autour de la technologie SSD avec comme objectif de proposer d’ici deux ans des capacités de plusieurs To. Cela va passer par l’adoption de la 3D NAND.
Le segment des SSD est l’avenir du stockage. Si aujourd’hui les disques durs classiques peuvent encore se vanter d’offrir des To de capacité à prix imbattables face aux SSD, tout va changer dans un futur très proche. Intel, en partenariat avec Micron, a annoncé l’arrivée de SSD intégrant la technologie 3D NAND. La capacité pourra atteindre 10 To pour les PC et 1 To pour les mobiles.
3D NAND, plusieurs To d’ici deux ans
L’annonce est sérieuse puisqu’elle est signée Rob Crooke, le vice-président de la branche « mémoires non volatiles » chez Intel. Une date est même déjà lancée puisque d’ici deux ans, les premiers SSD de plusieurs To sont programmés tandis que le To sera possible au niveau des appareils mobiles comme les smartphones.
Cet objectif sera atteint grâce à l’adoption de la technologie flash 3D NAND (développée avec Micron) qui contrairement aux mémoires flash dites « planaires » exploite la hauteur et non qu’une seule épaisseur. La 3D NAND va se présenter avec une troisième dimension exploitée à son plein potentiel où plusieurs niveaux de points mémoire sont superposés.
Ces puces NAND de nouvelle génération disposeront de 32 couches communicantes entre elles grâce à 4 milliards d’interconnexions. Il est annoncé qu’un die MLC pourra stocker jusqu’ à 256 Gbits (32 Go) avec 2 bits par cellules tandis qu’un die TLC pourra proposer jusqu’à 348 Gbits (40 Go) à 3 bits par cellules.
L’annonce d’Intel est réjouissante mais surtout marque une différence importante face à la 3D V-NAND de Samsung qui aujourd’hui se contente de propose de 16 Go par puces.
