Flash NAND 128 Gb en 20 nm : Intel et Micron signent une première mondiale

Dans le secteur de la Flash NAND, Intel et Micron passent un cap en annonçant la production à l’échelle industrielle de leur mémoire flash NAND 64 Gb 20nm. Les deux compagnies au travers de la Joint-Venture IM Flash Technologies (IMFT) (fondée par les deux sociétés) en profitent pour présenter une puce de mémoire Flash NAND de 128 Gb 20 nm composée de 8 matrices.

Finesse accrue : Coût de fabrication en baisse et performance en hausse.

En informatique, l’innovation passe inévitablement par la maîtrise de nouvelle gravure. Avec un passage au 20 nm, nous avons des promesses d’une réduction des coûts de fabrication,  d’une amélioration des performances mais également d’une miniaturisation accrue.  En présentant la première mémoire NAND 128 Gb, Intel et Micron préparent l’avenir en matière de stockage afin de répondre à la demande de produits toujours plus fins et plus épurés. Cette NAND 20 nm est la toute première à utiliser une structure planaire de cellules (intégration Hi-K/métal). Cette technologie vise à passer outre les contraintes d’échelle et d’assurer ainsi l’avancement des technologies de fabrication dans des gravures toujours plus fines.

NAND Flash 128 Gb et 64 Gb : L’avenir pour le stockage miniaturisé.

Développé par la filiale commune d’Intel et Micron, IM Flash Technologies (IMFT), cette Nand Flash MLC de 128 Gb à 20 nm compte seulement huit matrices. Elle affiche des performances deux fois supérieures à la NAND 20 nm 64 Gb afin de répondre aux spécifications haute-vitesse ONFI 3.0 stipulant une bande passante de 333 méga-transferts par seconde (MT/s). Cette Flash NAND 128 Gb est attendue pour 2012 avec une production en masse dans le courant du premier semestre.

En attendant, les deux compagnies se concentrent sur le NAND Flash 64 Gb en 20nm avec un passage en production industrielle. Selon elles, la demande de haute capacité est portée par plusieurs secteurs dont le passage au cloud et la prolifération des appareils mobiles.