Samsung prévoit de la NAND à 400 couches d’ici 2026 et à 1 000 couches d’ici 2030

Samsung a lancé la production en masse de sa neuvième génération de puces mémoire flash V-NAND, composées de 286 couches. Elle a été dévoilée en avril dernier.

Selon le Korean Economic Daily, il ne s’agit que d’une étape sachant que l’un des objectifs à court terme est d’atteindre au moins 400 couches empilées d’ici 2026. En 2013, Samsung a été la première à introduire des puces V-NAND à cellules mémoire empilées verticalement. Cette avancée s’est fait remarquée car elle a permit d’augmenter la capacité de stockage.

Cependant la barre des 300 couches est difficile à maitriser en raison d’une augmentation importante des défaillances à ces niveaux de densité. Pour surmonter cet obstacle, Samsung travaille sur une V-NAND de dixième génération, qui exploitera la technologie Bonding Vertical (BV) NAND. L’idée est de fabriquer les circuits de stockage et périphériques sur des couches distinctes avant de les assembler verticalement. C’est un changement important face à l’approche actuelle utilisant la technologie Co-Packaged (CoP). Selon Samsung, cette approche devrait augmenter la densité de bits par unité de surface de 60 %, améliorant ainsi la vitesse des transferts de données.

Le plan de développement de Samsung est ambitieux. L’entreprise envisage de lancer sa onzième génération de NAND en 2027, avec une amélioration estimée de 50 % des taux d’entrée/sortie, et vise à produire des puces NAND avec 1 000 couches d’ici 2030. Son concurrent, SK hynix, travaille actuellement sur de la NAND à 400 couches et prévoit une production en masse pour la fin 2025.