Samsung a débuté la production en masse du SSD PM9E1. Il s’annonce comme l’unité de stockage flash la plus rapide du catalogue de la société. Il profite d’un contrôleur interne en 5 nm, et utilise la V-NAND de 8e génération. L’objectif est d’atteindre une vitesse de lecture/écriture séquentielle et une efficacité énergétique élevées.
Selon Samsung son SSD PM9E1 (NVMe 2.0 et PCIe 5.0) peut atteindre un débit de 14,5 Go/s en lecture séquentielle et 13 Go/s en écriture séquentielle. Sa mécanique s’appuie sur de la V-NAND V8 (NAND Flash TLC, Triple Level Cell) à haute densité. Il s’agit d’une NAND verticale haute performance.
Ce v Gen5 sera disponible dans différentes capacités de stockage dont du 512 Go, 1 To, 2 To et 4 To. Alors que les options de stockage de 512 Go, 1 To et 2 To offrent suffisamment d’espace pour stocker des fichiers, des applications et des jeux importants, celle de 4 To peut permettre de stocker des programmes gourmands en données et des fichiers multimédias et des jeux volumineux.
A tout ceci s’ajoute des fonctionnalités de sécurité SPDM v1.2 permettant de garantir que le SSD peut disposer d’un canal sécurisé, d’une authentification de l’appareil et d’une attestation de falsification du micrologiciel.
Nous n’avons pas de tarif ni de date précise de commercialisation.
Quelle est sa vitesse séquentielle entre ces deux choix ?
“peut atteindre un débit de 14,5 Go/s en lecture séquentielle et 13 Go/s en écriture séquentielle”