Intel et Micron : En route vers le 16nm avec la maitrise de la gravure à 20nm

En parallèle de l’inauguration d’une nouvelle usine de fabrication de modules NAND 25 nm, Intel et Micron au traver d’IM Flash Technologies annonce la mise au point d’un processus de gravure à 20 nm.

Cette étape vers l’infini petit ouvre de nouvelles perspectives pour le monde nomade tel que les smartphones et tablettes. Avec une gravure à 20 nm il est possible de faire tenir 128 Go dans une unité de la taille d’un timbre poste. La fabrication se veut également moins couteuse grâce à la rationalisation des besoins.

Appliquée à la mémoire flash, cette technologie à 20 nm occupe 30% à 40% d’espace en moins qu’une gravure à 25 nm à capacité égale tout en diminuant les couts de fabrication pour trois.

Tout ceci n’est qu’une étape, l’entreprise se prépare déjà à la maitrise d’un processus à 16nm.