La technologie High-K Metal Gate fait son apparition dans une puce mémoire 2 Gb LPDDR2. Signé Elpida, cette Low power DDR2 s’accompagnerait d’une consommation réduite, une qualité très appréciée des tablettes, Smartphones et autres appareils nomades.
Baptisée HKMG, pour High-K Metal Gate, cette technologie vise à améliorer considérablement les performances énergétiques d’une puce mémoire DRAM en particulier en mode vielle, un état utilisé très fréquemment par les appareils nomades comme les Smartphanones et tablettes pour préserver leur autonomie. Elle prend forme par l’emploi de transistors à grille métallique (metal gate) et à isolants à haute constante diélectrique (high-k). Déjà utilisée dans le monde des processeurs depuis plusieurs années, elle aurait permis de réduire d’un facteur 5, les fuites de courant au travers du transistor et d’un facteur 10 les fuites de courant au travers de l’isolant.
Elpida espère également pouvoir augmenter la fréquence de fonctionnement tout en diminuant la consommation électrique. Les premières puces seront issues d’une gravure à 40 nanomètres. La production en masse est attendue pour 2012.
