Elpida rejoint Samsung dans la fabrication d’une nouvelle génération de puce mémoire DDR3. Il est question ici d’un passage à une gravure plus fine, 40 nm au lieu de 50 nm. La production de module sous une tension de 1,2 Volt est annoncée.
Elpida frappe fort avec cette annonce puisque le constructeur nippon dévoile officiellement ses puces DDR3 256 Go gravée à 40 nm. Au programme un rendement 44 % supérieur face à ses puces d’anciennes génération gravées à 50 nm et l’utilisation possible d’une tension de 1,2 Volt.
Pour rappel, le JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), organisme pour la standardisation des semi-conducteurs, a fixé à 1,5 Volt la tension officielle de la DDR3 contre 1,35 Volts celle de DDR3 Low voltage. Avec l’utilisation d’une tension plus faible, la production de barrette DDR3 moins énergivores est attendue.
Nous pouvons remarquer que les besoins en mémoire ne cessent de croître sur le marché des ordinateurs. Le standard accepté aujourd’hui est un minimum de 2 Go. Avec une démocratisation des OS 64 bit capable de s’affranchir de la barrière des 3 Go et la multiplication de kits 4 et 6 Go, ces nouveaux modules DDR3 basse tension vont peut être contribuer à tempérer la hausse de la demande énergétique.
L’introduction d’une gravure à 40 nm a une autre conséquence, celle de réduire les coûts de production. Avec un prix presque similaire à la DDR2, la gravure à 40 nm va permettre de réduire encore un peu plus le tarif de la DDR3 et de la rendre plus compétitive face à la DDR2, du moins espérons le.
Le fondeur nippon indique que la production en masse est à prévoir d’ici à la fin de l’année.
